Директор НИИ сильноточной электроники возглавил научный центр СО РАН в Томске

---

Глава томского НИИ сильноточной электроники Николай Ратахин избран председателем президиума Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН) заместителя губернатора Томской области по научно-технической и инновационной политике и образованию Алексей Пушкаренко. «Это опытный человек, он возглавляет один из становых институтов в Академии наук, умеет хорошо зарабатывать хоздоговорные деньги. Это один из двух институтов, который нарастил объемы финансирования в прошлом году именно из внебюджетных источников. Ратахин - признанный в своих кругах высококлассный специалист, он единогласно был избран и в ТНЦ, и в СО РАН, очень уважаемый человек», - сказал Пушкаренко. По его словам, предыдущий руководитель ТНЦ СО РАН Сергей Псахье в мае приступил к своим обязанностям в должности заместителя председателя СО РАН по инновационной деятельности и развитию научно-образовательных комплексов в научных центрах. Ратахин - доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, с 2006 года руководит в Томске научно-исследовательским институтом сильноточной электроники (ИСЭ СО РАН). Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1978 году. В настоящее время в его состав входят пять академических институтов и ряд научных и вспомогательных подразделений. Общая численность сотрудников учреждений научного центра составляет почти 2 тысячи человек, в том числе 703 научных работника, из них два академика РАН, четыре члена-корреспондента РАН, 134 доктора наук.